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SiR406DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
0
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0050
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0045
V GS = 4.5 V
2240
C iss
0.0040
0.0035
0.0030
0.0025
V GS = 10 V
16 8 0
1120
560
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
8
V DS = 5 V
2.0
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
6
1.4
V GS = 10 V
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0
0. 8
0.5
0
7
14
21
2 8
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64982
S09-1095-Rev. A, 15-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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